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IXFP16N60P3 Ixys Corporation


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Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IXFP16N60P3 Ixys Corporation

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 347W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 470mΩ
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
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IXFP16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
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On-state resistance: 470mΩ
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