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IXFP22N65X2

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Produktcode: 197751
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IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 Hersteller : IXYS IXF_22N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 223 Stücke:
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18+3.98 EUR
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IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Mindestbestellmenge: 18
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IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_22N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
auf Bestellung 729 Stücke:
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IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-22n65x2-datasheet?assetguid=e2d277e7-bb4f-4961-8db0-9c5942153fd5 Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
auf Bestellung 4978 Stücke:
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Anzahl Preis
2+10.19 EUR
50+5.41 EUR
100+4.95 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.89 EUR
2000+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFP22N65X2 IXFP22N65X2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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