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IXFP22N65X2M

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M IXYS IXFP22N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 37nC
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.84 EUR
22+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M Ixys Corporation -mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfp22n65x2m-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.88 EUR
50+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFP22N65X2M_Datasheet.PDF MOSFETs 650V/22A OVERMOLDED TO-220
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.64 EUR
10+5.62 EUR
100+5.11 EUR
500+4.99 EUR
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IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfp22n65x2m-datasheet?assetguid=1846557d-8386-447c-a978-b7259fcbc471 Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.59 EUR
50+6.71 EUR
100+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFP22N65X2M IXFP22N65X2M.pdf
IXFP22N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 37W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 37nC
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IXFP22N65X2M
Hersteller: Ixys Corporation
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MOSFETs 650V/22A OVERMOLDED TO-220
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IXFP22N65X2M littelfuse-discrete-mosfets-ixfp22n65x2m-datasheet?assetguid=1846557d-8386-447c-a978-b7259fcbc471
IXFP22N65X2M
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
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