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IXFP30N60X

IXFP30N60X IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC33AE48335820&compId=IXFA(P)30N60X.pdf?ci_sign=3f4e92311c2721a4ac346223cdc73b4815585cbc Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXFP30N60X IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 30A, Case: TO220AB, On-state resistance: 155mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 500W, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Gate charge: 56nC, Reverse recovery time: 145ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFP30N60X IXFP30N60X Hersteller : IXYS DS100667(IXFA-FP30N60X).pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
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IXFP30N60X IXFP30N60X Hersteller : IXYS media-3322381.pdf MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
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IXFP30N60X IXFP30N60X Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC33AE48335820&compId=IXFA(P)30N60X.pdf?ci_sign=3f4e92311c2721a4ac346223cdc73b4815585cbc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
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