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IXFP60N25X3

IXFP60N25X3 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48077B3DDB820&compId=IXFA(P%2CQ)60N25X3.pdf?ci_sign=40bf31d6f48e6a29413d60f94152aaab04d45448 Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.04 EUR
10+7.19 EUR
11+6.81 EUR
50+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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Technische Details IXFP60N25X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 320W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V.

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IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48077B3DDB820&compId=IXFA(P%2CQ)60N25X3.pdf?ci_sign=40bf31d6f48e6a29413d60f94152aaab04d45448 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
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IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 Hersteller : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 Hersteller : IXYS media-3319826.pdf MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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10+14.38 EUR
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IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 Hersteller : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_60n25x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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