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IXFP6N120P

IXFP6N120P IXYS

IXFA(H,P)6N120P.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 92nC
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Technische Details IXFP6N120P IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFP6N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 6A, TO-220AB, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: Polar HiPerFET Series, Wandlerpolarität: N Channel, Kanaltyp: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.75, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFP6N120P IXFP6N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-6n120p-datasheet?assetguid=9cf1dfc3-74f0-471e-a74f-b4fdec41c8a9 Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
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IXFP6N120P IXFP6N120P IXYS Power-Semiconductor-Discrete-MOSFET-IXFP6N120P-Datasheet.pdf MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
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IXFP6N120P IXFP6N120P LITTELFUSE littelfuse-discrete-mosfets-ixf-6n120p-datasheet?assetguid=9cf1dfc3-74f0-471e-a74f-b4fdec41c8a9 Description: LITTELFUSE - IXFP6N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 6A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.75
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75
SVHC: To Be Advised
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IXFP6N120P IXFP6N120P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFP6N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixf-6n120p-datasheet?assetguid=9cf1dfc3-74f0-471e-a74f-b4fdec41c8a9
IXFP6N120P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
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Hersteller: IXYS
MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFP6N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 6A, TO-220AB
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Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.75
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75
SVHC: To Be Advised
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