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Technische Details IXFP6N120P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFP6N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 6A, TO-220AB, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: Polar HiPerFET Series, Wandlerpolarität: N Channel, Kanaltyp: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.75, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXFP6N120P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXFP6N120P | IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Gate charge: 92nC Polarisation: unipolar Drain current: 6A |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXFP6N120P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Gate charge: 92nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Gate charge: 92nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6A
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