IXFP6N120P IXYS
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 92nC
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 14.61 EUR |
| 7+ | 13.36 EUR |
| 10+ | 11.3 EUR |
| 25+ | 9.81 EUR |
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Technische Details IXFP6N120P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFP6N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 6A, TO-220AB, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: Polar HiPerFET Series, Wandlerpolarität: N Channel, Kanaltyp: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.75, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXFP6N120P nach Preis ab 12.79 EUR bis 21.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IXFP6N120P | IXYS |
MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A |
auf Bestellung 626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXFP6N120P |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.77 EUR |
| 10+ | 13.17 EUR |
| 100+ | 12.79 EUR |