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IXFP80N25X3

IXFP80N25X3 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285CE2107E71820&compId=IXFH(P%2CQ)80N25X3.pdf?ci_sign=98dbb1b3debc6aa179f2279e7c8f3d9ef9df9898 Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.00 EUR
10+7.18 EUR
500+6.89 EUR
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Technische Details IXFP80N25X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFP80N25X3 IXFP80N25X3 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285CE2107E71820&compId=IXFH(P%2CQ)80N25X3.pdf?ci_sign=98dbb1b3debc6aa179f2279e7c8f3d9ef9df9898 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
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IXFP80N25X3 IXFP80N25X3 Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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IXFP80N25X3 IXFP80N25X3 Hersteller : IXYS media-3319152.pdf MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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10+14.64 EUR
50+9.26 EUR
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IXFP80N25X3 IXFP80N25X3 Hersteller : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXFP80N25X3 IXFP80N25X3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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