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IXFP8N85X

IXFP8N85X IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V
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Technische Details IXFP8N85X IXYS

Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IXFP8N85X IXFP8N85X Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP8N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X-Class HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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IXFP8N85X IXFP8N85X Hersteller : IXYS ixys_s_a0005444772_1-2272813.pdf MOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
IXFP8N85X Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_8n85x_datasheet.pdf.pdf IXFP8N85X THT N channel transistors
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