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IXFQ72N20X3

IXFQ72N20X3 IXYS

ixys_s_a0006610693_1-2272593.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
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Technische Details IXFQ72N20X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V, Power Dissipation (Max): 320W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFQ72N20X3 IXFQ72N20X3 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n20x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
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IXFQ72N20X3 Hersteller : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n20x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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