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IXFR140N20P

IXFR140N20P IXYS

99298.pdf
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
auf Bestellung 3667 Stücke:
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Technische Details IXFR140N20P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.022 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: ISOPLUS-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFR140N20P IXFR140N20P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFR140N20P_Datasheet.PDF MOSFETs 75 Amps 200V 0.018 Rds
auf Bestellung 345 Stücke:
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IXFR140N20P IXFR140N20P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.022 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXFR140N20P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFR140N20P_Datasheet.PDF
IXFR140N20P
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MOSFETs 75 Amps 200V 0.018 Rds
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IXFR140N20P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.022 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
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Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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