IXFT120N30X3HV Ixys Corporation
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IXFT120N30X3HV Ixys Corporation
Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXFT120N30X3HV nach Preis ab 15.66 EUR bis 27.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IXFT120N30X3HV | Hersteller : IXYS |
 MOSFETs TO268 300V 120A N-CH X3CLASS |
auf Bestellung 637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFT120N30X3HV | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO268HV Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFT120N30X3HV | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: TO-268HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXFT120N30X3HV | Hersteller : IXYS |
IXFT120N30X3HV SMD N channel transistors |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFT120N30X3HV | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFT120N30X3HV | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFT120N30X3HV | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
Produkt ist nicht verfügbar |