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IXFT120N30X3HV

IXFT120N30X3HV IXYS

IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
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Technische Details IXFT120N30X3HV IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

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IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Hersteller : IXYS IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 735W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 145ns
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IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n30x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+28.9 EUR
30+ 23.39 EUR
120+ 22.02 EUR
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Hersteller : IXYS media-3322257.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+42.98 EUR
10+ 37.86 EUR
30+ 36.82 EUR
60+ 34.79 EUR
120+ 32.73 EUR
270+ 32.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007925142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Hersteller : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n30x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
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