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IXFT140N10P

IXFT140N10P IXYS


IXFH(T)140N10P.pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Technische Details IXFT140N10P IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.

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IXFT140N10P IXFT140N10P Hersteller : IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFT140N10P IXFT140N10P Hersteller : IXYS media-3322022.pdf MOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
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IXFT140N10P IXFT140N10P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_140n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXFT140N10P IXFT140N10P Hersteller : Littelfuse lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf140n10pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXFT140N10P IXFT140N10P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixf-140n10p-datasheet?assetguid=97925773-3f21-4a1c-bdc7-735f6c5e0321 Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
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