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IXFT24N90P

IXFT24N90P IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
auf Bestellung 251 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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6+14.24 EUR
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Technische Details IXFT24N90P IXYS

Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 660W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.

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IXFT24N90P IXFT24N90P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A91EFCA0BC18BF&compId=IXF_24N90P.pdf?ci_sign=ded22da81efa882da3bdd9c405eb3c907c0bbe1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
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IXFT24N90P IXFT24N90P Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXFT24N90P IXFT24N90P Hersteller : IXYS media-3319559.pdf MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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IXFT24N90P IXFT24N90P Hersteller : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_24n90p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXFT24N90P IXFT24N90P Hersteller : Littelfuse elfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf24n90pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXFT24N90P IXFT24N90P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixf-24n90p-datasheet?assetguid=1850cbbc-4a71-4b6c-9e4b-bd580f61e590 Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
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