IXFT320N10T2 IXYS
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 320A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXFT320N10T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 320A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFT320N10T2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT320N10T2 | IXYS |
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IXFT320N10T2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 320A Power dissipation: 1kW Case: TO268 On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 430nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 98ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IXFT320N10T2 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFT320N10T2 - MOSFET, N-CH, 100V, 320A, TO-268 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 320 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: TO-268 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchT2 HiperFET Series Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035 SVHC: To Be Advised |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IXFT320N10T2 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFT320N10T2 |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFT320N10T2 |
|
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFT320N10T2 |
|
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFT320N10T2 - MOSFET, N-CH, 100V, 320A, TO-268
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 320
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TO-268
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchT2 HiperFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXFT320N10T2 - MOSFET, N-CH, 100V, 320A, TO-268
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 320
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TO-268
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchT2 HiperFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXFT320N10T2 |
|
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH