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IXFT320N10T2

IXFT320N10T2 IXYS


media-3321957.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
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Technische Details IXFT320N10T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 320A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFT320N10T2 IXFT320N10T2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXFT320N10T2 IXFT320N10T2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXFT320N10T2 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-320n10t2-datasheet?assetguid=99cd63b2-fc21-4394-81cf-ea2bb2be118d IXFT320N10T2 SMD N channel transistors
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IXFT320N10T2 IXFT320N10T2 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-320n10t2-datasheet?assetguid=99cd63b2-fc21-4394-81cf-ea2bb2be118d Description: MOSFET N-CH 100V 320A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
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