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IXFT69N30P

IXFT69N30P IXYS


IXFH(T)69N30P.pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO268; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 69A
Power dissipation: 500W
Case: TO268
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXFT69N30P IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO268; 100ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 69A, Power dissipation: 500W, Case: TO268, On-state resistance: 49mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 156nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 100ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFT69N30P IXFT69N30P Hersteller : IXYS 99220.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO268; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 69A
Power dissipation: 500W
Case: TO268
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
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