IXFT69N30P IXYS
Hersteller: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO268; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 69A
Power dissipation: 500W
Case: TO268
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXFT69N30P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO268; 100ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 69A, Power dissipation: 500W, Case: TO268, On-state resistance: 49mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 156nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 100ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXFT69N30P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFT69N30P | Hersteller : IXYS |
MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds |
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IXFT69N30P | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO268; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 69A Power dissipation: 500W Case: TO268 On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 100ns |
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