IXFT80N65X2HV Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 24.43 EUR |
| 30+ | 15.91 EUR |
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Technische Details IXFT80N65X2HV Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFT80N65X2HV | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 650V/80A TO-268HV |
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IXFT80N65X2HV Produktcode: 177859
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXFT80N65X2HV | Hersteller : Littelfuse |
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