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IXFT94N30T

IXFT94N30T IXYS


ixyss05869_1-2272411.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET
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Technische Details IXFT94N30T IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO268; 155ns, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Power dissipation: 890W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Gate charge: 0.19µC, Kind of channel: enhancement, Case: TO268, Reverse recovery time: 155ns, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 94A, On-state resistance: 36mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFT94N30T IXFT94N30T Hersteller : IXYS DS100383A(IXFH-T94N30T).pdf Description: MOSFET N-CH 300V 94A TO268
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IXFT94N30T IXFT94N30T Hersteller : IXYS IXFH(T)94N30T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO268; 155ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Reverse recovery time: 155ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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IXFT94N30T IXFT94N30T Hersteller : IXYS IXFH(T)94N30T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO268; 155ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Reverse recovery time: 155ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 94A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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