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IXFX120N65X2

IXFX120N65X2 Littelfuse


discretemosfetsnchannelultrajunctionixf120n65x2datasheet.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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Technische Details IXFX120N65X2 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXFX120N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.024 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: PLUS247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 Hersteller : Littelfuse discretemosfetsnchannelultrajunctionixf120n65x2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 Hersteller : Littelfuse Inc. a Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
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IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0009901561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFX120N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.024 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
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IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 Hersteller : Littelfuse discretemosfetsnchannelultrajunctionixf120n65x2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 Hersteller : IXYS media-3323505.pdf MOSFETs MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
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IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB63306F97D8BF&compId=IXFK120N65X2_IXFX120N65X2.pdf?ci_sign=0c1bd7c19c3aa665ef6e1d8149c6a814e49a737a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 220ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 240nC
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