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IXFX220N17T2

IXFX220N17T2 IXYS

media-3320383.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
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Technische Details IXFX220N17T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote IXFX220N17T2 nach Preis ab 12.61 EUR bis 21.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFX220N17T2 Hersteller : IXYS IXFX220N17T2 THT N channel transistors
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IXFX220N17T2 Hersteller : Ixys Corporation Trans MOSFET N-CH 170V 220A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX220N17T2 IXFX220N17T2 Hersteller : Littelfuse mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_220n17t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 170V 220A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX220N17T2 IXFX220N17T2 Hersteller : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V
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