IXFX27N80Q IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3+ | 25.37 EUR |
| 10+ | 24.87 EUR |
| 30+ | 24.4 EUR |
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Technische Details IXFX27N80Q IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXFX27N80Q nach Preis ab 24.4 EUR bis 43.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IXFX27N80Q | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Power dissipation: 481W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFX27N80Q | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFX27N80Q Produktcode: 56425 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
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IXFX27N80Q | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFX27N80Q | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFX27N80Q | Hersteller : IXYS |
MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |