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IXFX80N50Q3

IXFX80N50Q3 IXYS


media-3319681.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
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Technische Details IXFX80N50Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFX80N50Q3 IXFX80N50Q3 Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n50q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX80N50Q3 IXFX80N50Q3 Hersteller : Littelfuse screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixf-80n50q3-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX80N50Q3 IXFX80N50Q3 Hersteller : Littelfuse screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixf-80n50q3-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXFX80N50Q3 IXFX80N50Q3 Hersteller : IXYS IXFK(X)80N50Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFX80N50Q3 IXFX80N50Q3 Hersteller : IXYS Description: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
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IXFX80N50Q3 IXFX80N50Q3 Hersteller : IXYS IXFK(X)80N50Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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