IXFY36N20X3 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252
Reverse recovery time: 75ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 21nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO252
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 13+ | 5.68 EUR |
| 20+ | 3.65 EUR |
| 21+ | 3.45 EUR |
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Technische Details IXFY36N20X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFY36N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.038 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXFY36N20X3 nach Preis ab 3.30 EUR bis 7.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IXFY36N20X3 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO252 Reverse recovery time: 75ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 36A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 176W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 21nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO252 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFY36N20X3 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2070 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFY36N20X3 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFY36N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.038 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXFY36N20X3 | Hersteller : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44 |
auf Bestellung 582 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFY36N20X3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFY36N20X3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
Produkt ist nicht verfügbar |