IXGA30N120B3 IXYS
Hersteller: IXYSDescription: IGBT PT 1200V 60A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 18.5 EUR |
| 50+ | 10.45 EUR |
| 100+ | 9.67 EUR |
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Technische Details IXGA30N120B3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGA30N120B3 - IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXGA30N120B3 nach Preis ab 11.88 EUR bis 18.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IXGA30N120B3 | Hersteller : IXYS |
IGBTs GenX3 1200V IGBT |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGA30N120B3 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGA30N120B3 - IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGA30N120B3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGA30N120B3 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGA30N120B3 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns |
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