IXGH12N120A3 IXYS
Hersteller: IXYSDescription: IGBT 1200V 22A 100W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Gate Charge: 20.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 22 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 100 W
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 300+ | 4.31 EUR |
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Technische Details IXGH12N120A3 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; PT, Power dissipation: 100W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 20.4nC, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Pulsed collector current: 60A, Turn-on time: 202ns, Turn-off time: 1545ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 12A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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