
IXGH25N160 Littelfuse
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 9.84 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXGH25N160 Littelfuse
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: NPT, Collector-emitter voltage: 1.6kV, Collector current: 25A, Power dissipation: 300W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Gate charge: 84nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 283ns, Turn-off time: 526ns, Features of semiconductor devices: high voltage, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXGH25N160 nach Preis ab 14.26 EUR bis 21.24 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGH25N160 | Hersteller : IXYS |
![]() |
auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
IXGH25N160 | Hersteller : Littelfuse |
![]() |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
![]() |
IXGH25N160 | Hersteller : Littelfuse |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
![]() |
IXGH25N160 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 25A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-on time: 283ns Turn-off time: 526ns Features of semiconductor devices: high voltage Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
![]() |
IXGH25N160 | Hersteller : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: NPT Gate Charge: 84 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 300 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
![]() |
IXGH25N160 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 25A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-on time: 283ns Turn-off time: 526ns Features of semiconductor devices: high voltage |
Produkt ist nicht verfügbar |