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IXGH32N170

IXGH32N170 IXYS

IXGH(t)32N170.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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Technische Details IXGH32N170 IXYS

Description: IGBT 1700V 75A 350W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns, Switching Energy: 11mJ (off), Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 350 W.

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IXGH32N170 IXGH32N170 Hersteller : IXYS IXGH(t)32N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 920ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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IXGH32N170 IXGH32N170 Hersteller : IXYS media-3322152.pdf IGBT Transistors 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
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IXGH32N170 IXGH32N170 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_32n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 75A 350W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns
Switching Energy: 11mJ (off)
Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 350 W
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IXGH32N170
Produktcode: 140302 		littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_32n170_datasheet.pdf.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
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IXGH32N170 IXGH32N170 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_32n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXGH32N170 IXGH32N170 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_32n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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