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IXGH50N90B2D1

IXGH50N90B2D1 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A96FD8C4E898BF&compId=IXG_50N90B2D1.pdf?ci_sign=f4cd4c51dbcce9e2ffad27c4bb510a6a965450cf Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.48 EUR
8+9.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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Technische Details IXGH50N90B2D1 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFAST Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A96FD8C4E898BF&compId=IXG_50N90B2D1.pdf?ci_sign=f4cd4c51dbcce9e2ffad27c4bb510a6a965450cf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT PT 900V 75A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns
Switching Energy: 4.7mJ (off)
Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 400 W
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.21 EUR
30+21.21 EUR
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IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Hersteller : IXYS media-3320028.pdf IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.49 EUR
10+23.34 EUR
30+21.24 EUR
60+20.73 EUR
120+19.89 EUR
270+19.8 EUR
510+19.48 EUR
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IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007912956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFAST Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgk50n90b2d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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