IXGH50N90B2D1 IXYS
Hersteller: IXYSDescription: IGBT PT 900V 75A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns
Switching Energy: 4.7mJ (off)
Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 400 W
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 17.35 EUR |
| 30+ | 14.05 EUR |
| 120+ | 13.23 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXGH50N90B2D1 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFAST Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXGH50N90B2D1 nach Preis ab 11.07 EUR bis 17.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGH50N90B2D1 | Hersteller : IXYS |
IGBT Transistors 50 Amps 900V 2.7 Rds |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IXGH50N90B2D1 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HiPerFAST Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
IXGH50N90B2D1 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
IXGH50N90B2D1 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
IXGH50N90B2D1 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 135nC Kind of package: tube Turn-on time: 48ns Turn-off time: 820ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
IXGH50N90B2D1 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 135nC Kind of package: tube Turn-on time: 48ns Turn-off time: 820ns |
Produkt ist nicht verfügbar |