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IXGK100N170

IXGK100N170 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixg-100n170-datasheet?assetguid=d50514ee-b55f-4642-987d-987526d4ab03 Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1700V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/285ns
Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 830 W
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Technische Details IXGK100N170 IXYS

Description: IGBT 1700V 170A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: PLUS264™, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/285ns, Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 425 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 830 W.

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IXGK100N170 IXGK100N170 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXG_100N170_Datasheet.PDF IGBTs HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A
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IXGK100N170 IXGK100N170 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 170A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXGK100N170 IXGK100N170 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD0A6DAFB799820&compId=IXGK(X)100N170.pdf?ci_sign=c8053da6d72a2c79586ce8a850d84b1d66a7da31 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 425nC
Turn-on time: 285ns
Turn-off time: 720ns
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
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