IXGN320N60A3 IXYS
Hersteller: IXYSDescription: IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 735 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 66.76 EUR |
| 10+ | 50.05 EUR |
| 100+ | 46.03 EUR |
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Technische Details IXGN320N60A3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXGN320N60A3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Panel, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V, Dauer-Kollektorstrom: 320A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Tab, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V, Verlustleistung Pd: 735W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: GenX3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Single, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 320A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote IXGN320N60A3 nach Preis ab 51.55 EUR bis 68.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IXGN320N60A3 | Hersteller : IXYS |
IGBTs 320 Amps 600V |
auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXGN320N60A3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Panel rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V Dauer-Kollektorstrom: 320A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Tab Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V Verlustleistung Pd: 735W euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Produktpalette: GenX3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Single productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 320A Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735000mW 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 735W Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 170A Pulsed collector current: 1.2kA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 735W Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 170A Pulsed collector current: 1.2kA |
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