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Technische Details IXGN320N60A3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXGN320N60A3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Panel, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V, Dauer-Kollektorstrom: 320A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Tab, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V, Verlustleistung Pd: 735W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: GenX3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Single, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 320A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXGN320N60A3 nach Preis ab 46.62 EUR bis 59.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : IXYS |
 Description: IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 320 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 735 W Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXGN320N60A3 - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Panel rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V Dauer-Kollektorstrom: 320A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Tab Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V Verlustleistung Pd: 735W euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Produktpalette: GenX3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Single productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 320A Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735000mW 4-Pin SOT-227B |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B Technology: GenX3™; PT Collector current: 170A Power dissipation: 735W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.2kA Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXGN320N60A3 | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B Technology: GenX3™; PT Collector current: 170A Power dissipation: 735W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.2kA Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
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