IXGP20N120A3 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IXGP20N120A3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGP20N120A3 - IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXGP20N120A3 nach Preis ab 4.6 EUR bis 10.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IXGP20N120A3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Turn-on time: 66ns Turn-off time: 1.53µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGP20N120A3 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 1200V 40A 180W TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off) Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 180 W |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGP20N120A3 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGP20N120A3 - IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGP20N120A3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGP20N120A3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGP20N120A3 | Hersteller : IXYS |
IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A |
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