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IXGT10N170-TRL IXYS

Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.7kV; 10A; 110W; TO268
Collector current: 10A
Case: TO268
Power dissipation: 110W
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV

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Technische Details IXGT10N170-TRL IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.7kV; 10A; 110W; TO268, Collector current: 10A, Case: TO268, Power dissipation: 110W, Type of transistor: IGBT, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Collector-emitter voltage: 1.7kV.