Produkte > IXYS > IXGT10N170
IXGT10N170

IXGT10N170 IXYS


media-3323670.pdf Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 20 Amps 1700 V 4 V Rds
auf Bestellung 804 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.09 EUR
10+19.45 EUR
30+18.92 EUR
60+17.88 EUR
120+16.83 EUR
270+16.58 EUR
510+16.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXGT10N170 IXYS

Description: IGBT NPT 1700V 20A TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-268AA, IGBT Type: NPT, Gate Charge: 32 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A, Power - Max: 110 W.

Weitere Produktangebote IXGT10N170 nach Preis ab 13.56 EUR bis 25.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXGT10N170 IXGT10N170 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170-datasheet?assetguid=eaf33b10-8a19-43da-8aa2-8aba85c7a4eb Description: IGBT NPT 1700V 20A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.64 EUR
30+15.73 EUR
120+13.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT10N170 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-10n170-datasheet?assetguid=eaf33b10-8a19-43da-8aa2-8aba85c7a4eb IXGT10N170 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH