Produkte > IXYS > IXGT16N170A
IXGT16N170A

IXGT16N170A IXYS


media-3319957.pdf Hersteller: IXYS
IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
auf Bestellung 3109 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.22 EUR
10+28.85 EUR
30+20.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXGT16N170A IXYS

Description: IGBT NPT 1700V 16A TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A, Supplier Device Package: TO-268AA, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns, Switching Energy: 900µJ (off), Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 190 W.

Weitere Produktangebote IXGT16N170A nach Preis ab 16.79 EUR bis 30.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXGT16N170A IXGT16N170A Hersteller : IXYS Description: IGBT NPT 1700V 16A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
Switching Energy: 900µJ (off)
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 190 W
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.29 EUR
30+18.92 EUR
120+16.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170A IXGT16N170A Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_16n170a_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170A IXGT16N170A Hersteller : IXYS IXGH(t)16N170A_H1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT16N170A IXGT16N170A Hersteller : IXYS IXGH(t)16N170A_H1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 70nC
Technology: NPT
Mounting: SMD
Case: TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH