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IXKR25N80C

IXKR25N80C IXYS


media-3321330.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs 25 Amps 800V
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Technische Details IXKR25N80C IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXKR25N80C IXKR25N80C Hersteller : Littelfuse osfets_n-channel_super_junction_ixkr25n80c_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 25A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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IXKR25N80C IXKR25N80C Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A9C35AC94E78BF&compId=IXKR25N80C.pdf?ci_sign=d4d0a062d2af329a2a082f1126544ec91bfbf883 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXKR25N80C IXKR25N80C Hersteller : IXYS Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
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IXKR25N80C IXKR25N80C Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A9C35AC94E78BF&compId=IXKR25N80C.pdf?ci_sign=d4d0a062d2af329a2a082f1126544ec91bfbf883 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 25A; 250W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
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