| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 48.11 EUR |
| 10+ | 39.6 EUR |
| 30+ | 38.31 EUR |
| 60+ | 37.47 EUR |
| 120+ | 36.68 EUR |
| 270+ | 35 EUR |
| 510+ | 33.57 EUR |
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Technische Details IXKR25N80C IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR25N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 25 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 25, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: ISOPLUS-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXKR25N80C
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IXKR25N80C |
 CoolMOS Power MOSFET Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
 |
IXKR25N80C | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
IXKR25N80C | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR25N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 25 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 25 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: ISOPLUS-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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| IXKR25N80C |
|
CoolMOS Power MOSFET Транзистори
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| IXKR25N80C |
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
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| IXKR25N80C |
|
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR25N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 25 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR25N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 25 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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