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Technische Details IXSA110N65L2-7TR IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; N; 650V; 25A; 600W; D2PAK-7, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: N, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 25A, Power dissipation: 600W, Case: D2PAK-7, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 111Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 125nC.
Weitere Produktangebote IXSA110N65L2-7TR nach Preis ab 12.38 EUR bis 23.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IXSA110N65L2-7TR | IXYS |
 Description: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXSA110N65L2-7TR | IXYS |
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXSA110N65L2-7TR |
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Hersteller: IXYS
Description: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Description: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 23.26 EUR |
| 10+ | 16.18 EUR |
| 50+ | 13.16 EUR |
| 100+ | 12.99 EUR |
| IXSA110N65L2-7TR |
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Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 23.37 EUR |
| 10+ | 13.23 EUR |
| 100+ | 13.07 EUR |
| 500+ | 12.38 EUR |