| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 23.26 EUR |
| 10+ | 16.18 EUR |
| 50+ | 13.16 EUR |
| 100+ | 12.99 EUR |
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Technische Details IXSG110N65L2K IXYS
Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 111A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 600W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.
Weitere Produktangebote IXSG110N65L2K nach Preis ab 12.21 EUR bis 28.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IXSG110N65L2K | IXYS |
 SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL |
auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXSG110N65L2K | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 600W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXSG110N65L2K |
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Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 23.37 EUR |
| 10+ | 13.23 EUR |
| 100+ | 13.07 EUR |
| 1000+ | 12.21 EUR |
| IXSG110N65L2K |
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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 9+ | 28.39 EUR |
| 11+ | 22.35 EUR |
| 13+ | 16.92 EUR |
| 50+ | 13.76 EUR |
| 100+ | 13.58 EUR |