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IXSG110N65L2K

IXSG110N65L2K IXYS

Littelfuse_09-11-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSG110N65L2K_Datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
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Technische Details IXSG110N65L2K IXYS

Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 111A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 600W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXSG110N65L2K IXSG110N65L2K IXYS ixsg110n65l2k-datasheet?assetguid=d127241c-420d-4b40-9bb8-f5c211263533 Description: 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 12mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
auf Bestellung 1998 Stücke:
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1+24.04 EUR
10+16.73 EUR
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IXSG110N65L2K IXSG110N65L2K LITTELFUSE 4669376.pdf Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
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9+27.81 EUR
11+21.91 EUR
13+16.58 EUR
50+14.89 EUR
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IXSG110N65L2K IXSG110N65L2K LITTELFUSE 4669376.pdf Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
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auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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13+16.58 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXSG110N65L2K ixsg110n65l2k-datasheet?assetguid=d127241c-420d-4b40-9bb8-f5c211263533
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
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Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 600 V
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Description: LITTELFUSE - IXSG110N65L2K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
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tariffCode: 85412900
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