IXTA02N250HV IXYS
Hersteller: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO263; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2.5kV
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
On-state resistance: 450Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.5µs
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Technische Details IXTA02N250HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXTA02N250HV nach Preis ab 10.55 EUR bis 19.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IXTA02N250HV | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO263; 1.5us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2.5kV Drain current: 0.2A Power dissipation: 83W Case: TO263 On-state resistance: 450Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.5µs |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA02N250HV | Hersteller : IXYS |
MOSFET SMD N-CHANNEL POWER MOSFET |
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IXTA02N250HV | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA02N250HV | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V |
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