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Technische Details IXTA05N100 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 0.75A, Power dissipation: 40W, Case: TO263, On-state resistance: 17Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 710ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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 Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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IXTA05N100 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.75A Power dissipation: 40W Case: TO263 On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 710ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA05N100 | Hersteller : IXYS |
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds |
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IXTA05N100 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.75A Power dissipation: 40W Case: TO263 On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 710ns |
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