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Technische Details IXTA08N100D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote IXTA08N100D2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTA08N100D2 | Hersteller : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AAtariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
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IXTA08N100D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IXTA08N100D2 | Hersteller : IXYS |
IXTA08N100D2 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTA08N100D2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
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