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IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta08n100d2hv_datasheet.pdf.pdf Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
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Technische Details IXTA08N100D2HV IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTA08N100D2HV IXTA08N100D2HV Hersteller : IXYS media-3320005.pdf MOSFETs TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
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IXTA08N100D2HV IXTA08N100D2HV Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0009972208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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IXTA08N100D2HV IXTA08N100D2HV Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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IXTA08N100D2HV Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta08n100d2hv_datasheet.pdf.pdf IXTA08N100D2HV SMD N channel transistors
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IXTA08N100D2HV IXTA08N100D2HV Hersteller : Littelfuse ts_n-channel_depletion_mode_ixta08n100d2hv_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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