Weitere Produktangebote IXTA08N50D2 nach Preis ab 2.82 EUR bis 6.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTA08N50D2 | Hersteller : IXYS |
 MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA |
auf Bestellung 576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTA08N50D2 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTA08N50D2 |
MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IXTA08N50D2 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO263 On-state resistance: 4.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 11ns |
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