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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 8.20 EUR |
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| 100+ | 6.56 EUR |
| 500+ | 6.30 EUR |
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Technische Details IXTA10P50P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTA10P50P nach Preis ab 5.19 EUR bis 11.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IXTA10P50P | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA10P50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA10P50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA10P50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA10P50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA10P50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA10P50P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTA10P50P | Hersteller : IXYS |
IXTA10P50P SMD P channel transistors |
auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTA10P50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTA10P50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTA10P50P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263 Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V |
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