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IXTA10P50P

IXTA10P50P Littelfuse

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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
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Technische Details IXTA10P50P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA10P50P IXTA10P50P Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
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IXTA10P50P IXTA10P50P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA10P50P IXTA10P50P Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
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IXTA10P50P IXTA10P50P Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
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IXTA10P50P IXTA10P50P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA10P50P IXTA10P50P Ixys Corporation littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
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IXTA10P50P IXTA10P50P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_10P50P_Datasheet.PDF MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
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IXTA10P50P IXTA10P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634 Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
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IXTA10P50P IXTA10P50P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007910737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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IXTA10P50P IXTA10P50P IXYS IXT_10P50P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
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IXTA10P50P littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf
IXTA10P50P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
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IXTA10P50P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 540 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
17+11.01 EUR
19+9.33 EUR
25+9.12 EUR
50+8.75 EUR
100+8.62 EUR
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IXTA10P50P littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf
IXTA10P50P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
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IXTA10P50P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+11.76 EUR
25+11.09 EUR
50+10.44 EUR
100+9.87 EUR
250+9.42 EUR
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IXTA10P50P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+11.86 EUR
18+10.06 EUR
25+9.73 EUR
50+9.44 EUR
100+9.2 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IXTA10P50P littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf
IXTA10P50P
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 500V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+11.96 EUR
25+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IXTA10P50P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_10P50P_Datasheet.PDF
IXTA10P50P
Hersteller: IXYS
MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.42 EUR
10+10.01 EUR
100+9.12 EUR
500+8.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA10P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634
IXTA10P50P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
auf Bestellung 8545 Stücke:
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2+18.62 EUR
10+12.73 EUR
50+10.21 EUR
100+9.4 EUR
500+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTA10P50P LFSI-S-A0007910737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA10P50P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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13+20.65 EUR
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18+12.23 EUR
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IXTA10P50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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