IXTA18P10T IXYS
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 2.74 EUR |
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Technische Details IXTA18P10T IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXTA18P10T nach Preis ab 2.86 EUR bis 3.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IXTA18P10T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTA18P10T |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 3.94 EUR |
| 100+ | 3.59 EUR |
| 250+ | 2.86 EUR |