IXTA1N170DHV IXYS
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 50.24 EUR |
| 50+ | 30.71 EUR |
| 100+ | 28.85 EUR |
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Technische Details IXTA1N170DHV IXYS
Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Supplier Device Package: TO-263HV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXTA1N170DHV
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXTA1N170DHV | IXYS |
MOSFETs TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXTA1N170DHV | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1A Power dissipation: 290W Case: TO263HV On-state resistance: 16Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 30ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXTA1N170DHV | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA1N170DHV - MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 1.7 Dauer-Drainstrom Id: 1 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 290 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 290 Bauform - Transistor: TO-263HV Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 16 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16 SVHC: To Be Advised |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTA1N170DHV | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTA1N170DHV |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
MOSFETs TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
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| IXTA1N170DHV |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 290W
Case: TO263HV
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 30ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 290W
Case: TO263HV
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 30ns
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| IXTA1N170DHV |
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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA1N170DHV - MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 16
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXTA1N170DHV - MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 16
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16
SVHC: To Be Advised
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Stück im Wert von UAH
| IXTA1N170DHV |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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