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Technische Details IXTA1R6N100D2 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXTA1R6N100D2 nach Preis ab 4.61 EUR bis 6.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IXTA1R6N100D2 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA1R6N100D2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA |
auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 423-427 Tag (e) |
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IXTA1R6N100D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IXTA1R6N100D2 | Hersteller : IXYS |
IXTA1R6N100D2 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTA1R6N100D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTA1R6N100D2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V |
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