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IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV Littelfuse

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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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Technische Details IXTA1R6N100D2HV Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 100W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXTA1R6N100D2HV_Datasheet.PDF MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL
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IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta1r6n100d2hv-datasheet?assetguid=72c96f31-df09-45e8-9450-80791f14873c Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
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IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV LITTELFUSE LFSI-S-A0009972202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
auf Bestellung 273 Stücke:
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Hersteller: IXYS
MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL
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Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
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IXTA1R6N100D2HV LFSI-S-A0009972202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA1R6N100D2HV
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
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