Technische Details IXTA1R6N100D2HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 100W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.
Weitere Produktangebote IXTA1R6N100D2HV nach Preis ab 6.99 EUR bis 16.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IXTA1R6N100D2HV | LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 100W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 0V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTA1R6N100D2HV |
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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
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Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
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| 50+ | 8.2 EUR |
| 100+ | 7.5 EUR |
| 250+ | 6.99 EUR |