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IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV IXYS


media-3321408.pdf Hersteller: IXYS
MOSFETs TO263 1KV 1A N-CH DEPL
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Technische Details IXTA1R6N100D2HV IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0009972202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: To Be Advised
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IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV Hersteller : Littelfuse s_n-channel_depletion_mode_ixta1r6n100d2hv_datasheet.pdf.pdf High Voltage Depletion Mode MOSFET
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IXTA1R6N100D2HV Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta1r6n100d2hv-datasheet?assetguid=72c96f31-df09-45e8-9450-80791f14873c IXTA1R6N100D2HV SMD N channel transistors
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IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV Hersteller : Littelfuse s_n-channel_depletion_mode_ixta1r6n100d2hv_datasheet.pdf.pdf High Voltage Depletion Mode MOSFET
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IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixta1r6n100d2hv-datasheet?assetguid=72c96f31-df09-45e8-9450-80791f14873c Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
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