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IXTA26P20P

IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf
Produktcode: 162385
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.65 EUR
14+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_26P20P_Datasheet.PDF MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.2 EUR
10+9.45 EUR
100+8.69 EUR
500+8.6 EUR
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IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
auf Bestellung 3448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.47 EUR
50+9.6 EUR
100+8.85 EUR
500+7.52 EUR
1000+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTA26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTA26P20P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
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AnzahlPrivatkunde
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IXTA26P20P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_26P20P_Datasheet.PDF
IXTA26P20P
Hersteller: IXYS
MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+17.2 EUR
10+9.45 EUR
100+8.69 EUR
500+8.6 EUR
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IXTA26P20P IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf
IXTA26P20P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
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100+8.85 EUR
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