IXTA26P20P


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Produktcode: 162385
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTA26P20P IXTA26P20P Hersteller : IXYS IXT_26P20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: -200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Case: TO263
Drain current: -26A
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.11 EUR
14+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXTA26P20P IXTA26P20P Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_26P20P_Datasheet.PDF MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.16 EUR
10+7.27 EUR
100+6.78 EUR
500+6.3 EUR
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IXTA26P20P IXTA26P20P Hersteller : IXYS IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
auf Bestellung 3422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.29 EUR
50+7.84 EUR
100+7.21 EUR
500+6.13 EUR
1000+5.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXTA26P20P IXTA26P20P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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