IXTA26P20P


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Produktcode: 162385
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA26P20P IXTA26P20P Littelfuse ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 70 Stücke:
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50+7.72 EUR
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IXTA26P20P IXTA26P20P Littelfuse ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA26P20P IXTA26P20P Ixys Corporation ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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16+11.66 EUR
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IXTA26P20P IXTA26P20P Littelfuse ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 300 Stücke:
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50+11.77 EUR
100+10.29 EUR
250+9.15 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
auf Bestellung 6730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.03 EUR
10+12.35 EUR
50+9.92 EUR
100+9.14 EUR
500+7.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.19 EUR
14+16.59 EUR
18+12.45 EUR
50+11.01 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 240ns
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXTA26P20P ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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AnzahlPrivatkunde
50+7.72 EUR
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IXTA26P20P ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXTA26P20P ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXTA26P20P ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 300 Stücke:
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100+10.29 EUR
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IXTA26P20P IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
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2+18.03 EUR
10+12.35 EUR
50+9.92 EUR
100+9.14 EUR
500+7.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTA26P20P LFSI-S-A0007924821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.19 EUR
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Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 240ns
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