IXTA26P20P
Produktcode: 162385
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Weitere Produktangebote IXTA26P20P nach Preis ab 7.72 EUR bis 21.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IXTA26P20P | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA26P20P | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA26P20P | Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA26P20P | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA26P20P | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6730 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTA26P20P | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA26P20P | IXYS |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -26A Power dissipation: 300W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 240ns |
auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTA26P20P |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 7.72 EUR |
| IXTA26P20P |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 7.72 EUR |
| IXTA26P20P |
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Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 11.66 EUR |
| IXTA26P20P |
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 11.77 EUR |
| 100+ | 10.29 EUR |
| 250+ | 9.15 EUR |
| IXTA26P20P |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
auf Bestellung 6730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 18.03 EUR |
| 10+ | 12.35 EUR |
| 50+ | 9.92 EUR |
| 100+ | 9.14 EUR |
| 500+ | 7.77 EUR |
| IXTA26P20P |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 21.19 EUR |
| 14+ | 16.59 EUR |
| 18+ | 12.45 EUR |
| 50+ | 11.01 EUR |
| IXTA26P20P |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 240ns
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 240ns
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



