| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 16.26 EUR |
| 10+ | 8.88 EUR |
| 100+ | 8.15 EUR |
| 1000+ | 8 EUR |
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Technische Details IXTA3N100D2 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 3A, Power dissipation: 125W, Case: TO263, On-state resistance: 6Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: depletion, Gate charge: 1.02µC, Reverse recovery time: 17ns.
Weitere Produktangebote IXTA3N100D2 nach Preis ab 7.02 EUR bis 16.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IXTA3N100D2 | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263 |
auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTA3N100D2 |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 16.53 EUR |
| 10+ | 11.26 EUR |
| 50+ | 9.01 EUR |
| 100+ | 8.29 EUR |
| 500+ | 7.02 EUR |