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IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV LITTELFUSE

LFSI-S-A0009972223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 290 Stücke:
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Technische Details IXTA3N100D2HV LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125, Bauform - Transistor: TO-263HV, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 6, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA3N100D2HV IXTA3N100D2HV Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta3n100d2hv_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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IXTA3N100D2HV IXTA3N100D2HV IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXTA3N100D2HV_Datasheet.PDF MOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL
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IXTA3N100D2HV IXTA3N100D2HV IXYS IXTA3N100D2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 1.02µC
Reverse recovery time: 17ns
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IXTA3N100D2HV IXTA3N100D2HV Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTA3N100D2HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta3n100d2hv_datasheet.pdf.pdf
IXTA3N100D2HV
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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IXTA3N100D2HV Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXTA3N100D2HV_Datasheet.PDF
IXTA3N100D2HV
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL
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IXTA3N100D2HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 1.02µC
Reverse recovery time: 17ns
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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