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Technische Details IXTA3N100D2HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125, Bauform - Transistor: TO-263HV, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 6, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
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IXTA3N100D2HV | Hersteller : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 125 Bauform - Transistor: TO-263HV Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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IXTA3N100D2HV | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTA3N100D2HV | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTA3N100D2HV | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V |
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