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IXTA3N120HV

IXTA3N120HV IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120hv_datasheet.pdf.pdf Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
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Technische Details IXTA3N120HV IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, Dauer-Drainstrom Id: 3, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200, Bauform - Transistor: TO-263, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTA3N120HV IXTA3N120HV Hersteller : IXYS media-3321083.pdf MOSFETs MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE
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IXTA3N120HV IXTA3N120HV Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007924016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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IXTA3N120HV IXTA3N120HV Hersteller : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120hv_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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IXTA3N120HV IXTA3N120HV Hersteller : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120hv_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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IXTA3N120HV Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120hv_datasheet.pdf.pdf IXTA3N120HV SMD N channel transistors
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